內(nèi)存條掀起的漲價潮:三星成最大贏家
  2017年DRAM價格漲幅將達到39%,ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當(dāng)下,以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮?! RAM作為半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)品類型之一,常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要的兩個應(yīng)用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右,同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流
2017-10-09 08:25:23
來源:中國家電網(wǎng)??

  2017年DRAM價格漲幅將達到39%,ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當(dāng)下,以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。

  DRAM作為半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)品類型之一,常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要的兩個應(yīng)用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右,同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱,國產(chǎn)手機下半年仍會漲價,部分原因是內(nèi)存成本上升。

  集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2016年第4季DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,帶動2017年第一季的合約價上漲超過30%,各類產(chǎn)品價格均上漲。

  連續(xù)四個季度的DRAM漲價潮背后是仍在擴大的供需缺口。一方面,國產(chǎn)品牌手機出貨量持續(xù)增長至2017下半年達到高潮,另一方面,上游制造商三星電子(SSNLF)、SK海力士)、美光科技(MU)對市場具有長期壟斷地位且掌握市場定價權(quán),根據(jù)trendforce的數(shù)據(jù),截至2016年三季度三大廠DRAM市場份額總和約占全球市場94%。

  國產(chǎn)手機開始漲價

  內(nèi)存作為智能手機核心硬件之一,一直以來依賴進口。據(jù)一位長期跟蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的證券分析師稱,存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè),這一輪漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機和PC廠商的成本,特別是存儲器成本占比相對較高的中低端智能手機,侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機產(chǎn)業(yè),PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲器供給嚴(yán)重不足的雙重壓力。當(dāng)下,目前部分智能手機已經(jīng)漲價,幅度在100~500元不等。

  至9月12日蘋果發(fā)布88-90%屏占比的iphoneX后,這場自今年下半年開始在國內(nèi)全面打響的手機全面屏之戰(zhàn)進入高潮。

  金立集團是參與者之一,手機廠家的成本一直在漲,9月25日推出了新一代全面屏手機產(chǎn)品M7的金立集團董事長劉立榮在媒體交流會上稱,當(dāng)下內(nèi)存產(chǎn)能已經(jīng)跟不上需求,漲價已經(jīng)成為一種必然,雖然金立公司堅持使用6GB內(nèi)存且沒有抬高手機價格,但從手機市場行情來有漲價趨勢。上述分析師稱,目前智能手機內(nèi)存容量為2G~8G,同一個廠家推出的同一款智能手機僅僅因為存儲器容量的不同,價格可能相差數(shù)百元到一兩千元。

  三星、美光成最大贏家

  DRAM市場格局仍以三星電子、美光科技、SK海力士三大寡頭競爭為主,根據(jù)trendforce的數(shù)據(jù),三家企業(yè)分別占據(jù)市場份額50.2%。

  7月7日,三星電子發(fā)布的二季度業(yè)績展望報告顯示,營業(yè)利潤創(chuàng)5年來季度利潤新高,同比增長近72%達到14萬億韓元 (約合121億美元)。集團在業(yè)績展望中稱業(yè)績受到芯片業(yè)務(wù)強勁表現(xiàn)的提振。

  9月27日,美光科技發(fā)布的第四財季度創(chuàng)下的61.4億美元營收超越了華爾街分析師預(yù)期,比同期增長91%。其中DRAM產(chǎn)品銷售增長5%,由于DRAM產(chǎn)品利潤率增長,該季度毛利率為50.7%。

  漲價背后也和三大廠供給收縮有關(guān)。當(dāng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)迭代升級,即2DNANDFlash(二維閃存)轉(zhuǎn)移至3DNANDFlash(三維閃存),三大廠紛紛進入閃存迭代升級的產(chǎn)線建設(shè)同時,對于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對保守。上述分析師表示,預(yù)計到2018年,隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn),存儲器供應(yīng)緊張局面有望緩解。

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