近日，外網(wǎng)傳出臺(tái)積電3nm芯片的生產(chǎn)被推遲到了2022年第四季，針對(duì)這一說法，臺(tái)積電回應(yīng)稱，3nm制程的發(fā)展符合預(yù)期，良品率很高，將在第四季度晚些時(shí)候量產(chǎn)。

此前也有消息透露，臺(tái)積電的3nm芯片生產(chǎn)推遲到2022年第四季度，同時(shí)三星在6月開始生產(chǎn)3nm工藝芯片，搶在臺(tái)積電之前。但是三星3nm芯片生產(chǎn)的數(shù)量非常少，需要長時(shí)間來提高產(chǎn)量。

據(jù)業(yè)此前內(nèi)人士透露，以當(dāng)時(shí)臺(tái)積電3nm制程工藝的試產(chǎn)情況來看，預(yù)期進(jìn)入9月量產(chǎn)后，初期的良品率表現(xiàn)會(huì)比此前的5nm制程初期要更好一些。

而在3nm制程的加強(qiáng)版上，臺(tái)積電表示其研發(fā)成果也要優(yōu)于預(yù)期，將具有更好的效能、功耗以及良品率，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)以及HPC相關(guān)應(yīng)用在3nm時(shí)代提供完整的平臺(tái)支持，而N3E制程也預(yù)計(jì)在2023年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

目前已經(jīng)確認(rèn)蘋果將成為臺(tái)積電3nm工藝的首位客戶，或?qū)⒃贛2Pro上首發(fā)該工藝芯片。

同時(shí)，臺(tái)積電的部署也并沒有受太多影響，按照計(jì)劃有可能在2025年正式推出2nm制程。資料顯示，臺(tái)積電2nm制程將采用GAAFET架構(gòu)，相比臺(tái)積電3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，應(yīng)用包含移動(dòng)計(jì)算、高性能計(jì)算及完備的小芯片整合解決方案。

可以看出，這次臺(tái)積電在2nm的研發(fā)上是比較有信心的，作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)頭羊，臺(tái)積電在2nm工藝上的動(dòng)態(tài)會(huì)受到外界的絕對(duì)關(guān)注，這也意味著這項(xiàng)工藝對(duì)于臺(tái)積電來說意義重大。

編輯點(diǎn)評(píng)： 雖然臺(tái)積電3nm的出貨時(shí)間稍微推遲，但是也不影響臺(tái)積電的訂單和未來計(jì)劃，更重要的是未來臺(tái)積電在研發(fā)2nm工藝上能否成功，這是目前關(guān)注重點(diǎn)。