近日消息，索尼新一代旗艦手機(jī)Xperia 1 V在香港的戶(hù)外宣傳海報(bào)流出，并稱(chēng)新機(jī)將搭載“次世代雙倍低噪感光元件”。早在4月27日，索尼官博@索尼-Xperia 便宣布即將在5月11日發(fā)布新一代旗艦手機(jī)Xperia 1 V。

從海報(bào)能夠看到，索尼Xperia 1 V的外觀與前代差別不大，使用了直角邊框設(shè)計(jì)，后蓋延續(xù)了豎條形攝像頭Deco，輔以中置索尼logo彰顯身份。此外，能夠看到此次Xperia 1 V將會(huì)有三顆攝像頭，且仍然使用了蔡司T*鏡頭鍍膜。

官博稱(chēng)，索尼Xperia新品將搭載“Next-gen Sensor”（次世代傳感器），結(jié)合戶(hù)外海報(bào)所稱(chēng)“次世代雙倍低噪傳感器”，預(yù)計(jì)此次索尼Xperia 1 V在影像硬件方面將搭載一種“雙層晶體管像素結(jié)構(gòu)”堆棧式CMOS傳感器(Stacked CMOS Image Sensor Technologywith 2-Layer Transistor Pixel)。

（傳統(tǒng)堆棧式CMOS與新型雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)區(qū)別示意圖）

2021年12月16日，索尼半導(dǎo)體發(fā)布了這一種全新的CMOS傳感器。從命名和結(jié)構(gòu)示意圖可以看出，這種CMOS傳感器類(lèi)似于已廣泛使用的堆棧式CMOS傳感器。

傳統(tǒng)堆棧式CMOS單顆像素由光電二極管與像素晶體管組成，并將處理電路放置在最下方以取代背照/前照式CMOS傳感器的基板，大幅提升了圖像處理能力。

而新型的雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器則是將用于感光的光電二極管與用于放大信號(hào)的像素晶體管分離，將像素晶體管移至光電二極管下方，加上處理電路共同組成新的堆棧結(jié)構(gòu)。

這一做法使得光電二極管可以獲得更大的感光面積。而像素晶體管也由于具備更大的空間，降低了信號(hào)放大時(shí)的雜訊，能夠生成噪點(diǎn)更少觀感更純凈的圖像。索尼表示，雙層結(jié)構(gòu)CMOS大約“將飽和信號(hào)水平提高了一倍”。

但據(jù)消息稱(chēng)，將光電二極管堆疊在晶體管上需要極高的對(duì)準(zhǔn)精度，而且鍵合溫度遠(yuǎn)高于普通CMOS傳感器的結(jié)構(gòu)，這使得大規(guī)模生產(chǎn)雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器的難度非常高。

編輯點(diǎn)評(píng)：索尼不愧是“技術(shù)狂人”，若其實(shí)際表現(xiàn)與索尼說(shuō)法相符，那么這一新型CMOS將改變現(xiàn)有影像器材的格局，35mm全畫(huà)幅CMOS也能夠達(dá)到44x33中畫(huà)幅CMOS的感光能力，更不用說(shuō)能夠給手機(jī)上更小的CMOS帶來(lái)多大的提升。若此次Xperia 1 V搭載了這一新型CMOS，猜測(cè)索尼目前的制造工藝可能只是能夠生產(chǎn)物理上較小的CMOS，而要生產(chǎn)更大畫(huà)幅CMOS則可能需要更多的時(shí)間攻克技術(shù)難題。