消息稱全球第三大晶圓代工廠聯(lián)電的新一輪漲價(jià)將自2022年元月起生效。漲價(jià),意味著明年代工產(chǎn)能仍然吃緊,也意味著明年晶圓代工市場(chǎng)依然被看好。近日,集邦咨詢發(fā)布報(bào)告,第三季度全球晶圓代工產(chǎn)值達(dá)到272.8億美元,季增11.8%。這已經(jīng)是晶圓代工業(yè)連續(xù)9個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高。而在筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)通訊、汽車,物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)品需求旺盛,終端用戶維持強(qiáng)勁備貨的帶動(dòng)下,業(yè)界普遍看好2022年的晶圓代工市場(chǎng),預(yù)期明年晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)1176.9億美元,年增13.3%,續(xù)創(chuàng)新高。

晶圓代工市場(chǎng)明年或兩位數(shù)增長(zhǎng)

消息稱全球第三大晶圓代工廠聯(lián)電將啟動(dòng)新一輪漲價(jià),如果確實(shí)這將是聯(lián)電年內(nèi)的第三次漲價(jià)。據(jù)悉,本次漲價(jià)將主要針對(duì)占聯(lián)電營(yíng)收三成以上的三大美系客戶,漲幅約8%至12%不等,自2022年元月起生效。聯(lián)電目前美系主要客戶包括AMD、高通、德儀、英偉達(dá)等,并握有英飛凌、意法半導(dǎo)體等歐洲大廠的訂單。由于此次漲價(jià)對(duì)象營(yíng)收占比甚高,漲幅也相當(dāng)可觀,將有助提升聯(lián)電的盈利水平。其實(shí)不只聯(lián)電,近日有傳言稱,臺(tái)積電也將在12月份再次調(diào)漲晶圓代工報(bào)價(jià)。

近一年來(lái),受5G、AI、自動(dòng)駕駛以及消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,大幅推動(dòng)了半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng),也使晶圓代工產(chǎn)能始終處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這為晶圓代工企業(yè)提供了漲價(jià)的基礎(chǔ)。在此情況下,業(yè)界普遍看好晶圓代工業(yè)的發(fā)展情況。

集邦咨詢報(bào)告顯示,第三季晶圓代工產(chǎn)值高達(dá)272.8億美元,季增11.8%,已連續(xù)九個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高。其中,臺(tái)積電在蘋果發(fā)布iPhone新機(jī)帶動(dòng)下,第三季度營(yíng)收達(dá)148.8億美元,穩(wěn)居全球第一。位居第二的三星也取得環(huán)比11%的增長(zhǎng),第三季度營(yíng)收48.1億美元。中芯國(guó)際受益于PMIC、Wi-Fi、MCU、RF等產(chǎn)品需求穩(wěn)定,第三季營(yíng)收達(dá)14.2億美元,排名第五。

晶圓代工業(yè)明年的市場(chǎng)情況也被業(yè)界所看好。高盛證券上調(diào)明年首季晶圓代工企業(yè)報(bào)價(jià)漲幅預(yù)估,由原預(yù)估的5%內(nèi),提升為5%至10%,亦即漲幅有機(jī)會(huì)比預(yù)期高一倍。集邦咨詢則預(yù)期明年晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)1176.9億美元,年增13.3%?！熬A廠的漲價(jià),反映大者恒大趨勢(shì),實(shí)際上也是競(jìng)爭(zhēng)力提升的表現(xiàn)?！卑雽?dǎo)體專家莫大康表示。

產(chǎn)能吃緊不影響產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷”

價(jià)格的上漲反映了市場(chǎng)的供需狀況,業(yè)界預(yù)計(jì)明年代工產(chǎn)能仍然吃緊,特別是明年上半年的市場(chǎng)狀況已較為明朗。

臺(tái)積電總裁魏哲家在第三季度公司法說(shuō)會(huì)上表示,維持晶圓代工產(chǎn)能吃緊至2022年的看法。就市場(chǎng)供需,魏哲家提到,持續(xù)看到受到新冠肺火疫情影響而產(chǎn)生的供應(yīng)鏈短期失衡現(xiàn)象,預(yù)期供應(yīng)鏈維持較高庫(kù)存現(xiàn)象將持續(xù)一段期間。無(wú)論短期失衡現(xiàn)象是否持續(xù)下去,相信臺(tái)積電技術(shù)領(lǐng)先地位能使掌握先進(jìn)制程及特殊制程技術(shù)的強(qiáng)勁需求。

力積電董事長(zhǎng)黃崇仁也表示,盡管消費(fèi)電子產(chǎn)品需求放緩,但汽車電子、5G和其他網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用的芯片需求仍超過(guò)供應(yīng),仍看好2022年整體代工市場(chǎng)前景?！帮@示驅(qū)動(dòng)器 IC等芯片的需求正在放緩,但許多其他 IC 仍供不應(yīng)求。汽車芯片、5G等高端網(wǎng)絡(luò)芯片的短缺將持續(xù)到明年?！秉S崇仁說(shuō)道。

集邦咨詢發(fā)布報(bào)告指出,在歷經(jīng)連續(xù)兩年的芯片荒后,各大晶圓代工廠宣布擴(kuò)建的產(chǎn)能將陸續(xù)在2022年開(kāi)出,且新增產(chǎn)能集中在40nm及28nm制程,預(yù)計(jì)現(xiàn)階段極為緊張的芯片供應(yīng)將稍為緩解。然而,由于新增產(chǎn)能貢獻(xiàn)產(chǎn)出的時(shí)間點(diǎn)落在2022下半年,屆時(shí)正值傳統(tǒng)旺季,在供應(yīng)鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下,產(chǎn)能緩解的情況有可能不太明顯。此外,雖然部分40/28nm制程零部件可稍獲舒緩,但8英寸生產(chǎn)線主導(dǎo)的0.1微米級(jí)工藝和12英寸生產(chǎn)線的1Xnm工藝,增產(chǎn)幅度有限,屆時(shí)產(chǎn)能仍有可能不能滿足需求。整體來(lái)說(shuō),2022年晶圓代工產(chǎn)能將仍然處于略為緊張的市況,雖部分零部件可望紓解,但長(zhǎng)短料問(wèn)題仍將持續(xù)沖擊部分終端產(chǎn)品。

3nm工藝是“卷”的重點(diǎn)

先進(jìn)工藝產(chǎn)能依然是2022年晶圓代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的重點(diǎn)。來(lái)自5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)相關(guān)應(yīng)用的帶動(dòng),未來(lái)幾年對(duì)高性能計(jì)算、低功耗的需求不斷增加,將更需要先進(jìn)工藝的支持。近日,臺(tái)積電3nm工藝試產(chǎn)提前,立即成為英特爾、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、蘋果等奪爭(zhēng)的對(duì)象。此前,臺(tái)積電計(jì)劃今年年底試產(chǎn)3nm,明年下半年量產(chǎn)。與5nm工藝相比,3nm工藝可以將晶體管密度提高70%,提高15%的性能,降低30%的功耗。

三星積極爭(zhēng)奪3nm的先手優(yōu)勢(shì)。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi日前在晶圓代工論壇上宣布,三星電子將于2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)首批3nm芯片,第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將于2023年開(kāi)始生產(chǎn)。按照規(guī)劃,三星電子的3nm GAA工藝將采用MBCFET晶體管結(jié)構(gòu),與5nm工藝相比,其面積減少了35%,性能提高了30%且功耗降低了50%。Siyoung Choi談道:“我們將提高整體產(chǎn)能并引領(lǐng)最先進(jìn)的技術(shù),同時(shí)進(jìn)一步擴(kuò)大硅片規(guī)模并通過(guò)應(yīng)用繼續(xù)技術(shù)創(chuàng)新?！笔聦?shí)上,此前三星曾經(jīng)計(jì)劃于今年便開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝。但是,轉(zhuǎn)向全新制造技術(shù)的難度很大,使得三星不得不將量產(chǎn)時(shí)推遲。然而,三星推遲后的量產(chǎn)計(jì)劃依然早于臺(tái)積電。

三星與臺(tái)積電在2nm工藝上的競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。在晶圓代工論壇上,Siyoung Choi表示,三星電子將于2025年推出基于MBCFET的2nm工藝。據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電預(yù)計(jì)2nm工藝的全面量產(chǎn)約在2025年-2026年。

此前,三星、IBM和英特爾簽署聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議,共同研發(fā)2nm制造工藝。今年5月,IBM率先發(fā)布全球首個(gè)2nm制造工藝。實(shí)現(xiàn)在芯片上每平方毫米集成3.33億個(gè)晶體管,遠(yuǎn)超此前三星5nm工藝的每平方毫米約1.27億晶體管數(shù)量,極大地提升了芯片性能。

隨著5G、高性能計(jì)算、人工智能的發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)工藝的需要越來(lái)越高。3/2nm作為先進(jìn)工藝下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn),成為三星、臺(tái)積電的發(fā)展重點(diǎn)。半導(dǎo)體專家莫大康指出,由于2nm目前尚處于研發(fā)階段,其工藝指標(biāo)尚不清楚,不能輕易判斷是否也是一個(gè)大的工藝節(jié)點(diǎn)。然而根據(jù)臺(tái)積電的工藝細(xì)節(jié)詳情3nm晶體管密度已達(dá)到了2.5億個(gè)/mm2,與5nm相比,功耗下降25%～30%,功能提升了10%～15%。無(wú)論如何,2納米作為下一代節(jié)點(diǎn),性能勢(shì)必有更進(jìn)一步的提升,功耗也將進(jìn)一步下降,市場(chǎng)對(duì)其的需求是可以預(yù)期的。